應(yīng)用領(lǐng)域
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半導(dǎo)體激光系統(tǒng)和激光光學(xué)系統(tǒng)在現(xiàn)代半導(dǎo)體制造工業(yè)，如半導(dǎo)體晶圓退火等應(yīng)用中扮演著至關(guān)重要的角色。
晶圓激光退火（Laser Annealing）是28nm及以下邏輯芯片制造中的關(guān)鍵工藝之一。該工藝采用近紅外波段半導(dǎo)體激光光源，通過多組不同功能的激光光學(xué)整形系統(tǒng)及光學(xué)勻化系統(tǒng)，在工作距離下達(dá)成12mm*70μm的極窄線激光光斑，并保證光斑長度方向＞95%的能量均勻性。在不到一毫秒的時(shí)間內(nèi)，晶圓表層原子被加熱到1000°C以上，再通過急速冷卻，使晶圓表面局部形成超淺結(jié)和高激活結(jié)，從而起到提升晶圓生產(chǎn)的良品率的目的。
炬光科技推出的DLight S系列半導(dǎo)體集成電路晶圓退火系統(tǒng)，結(jié)合產(chǎn)生光子的共晶鍵合技術(shù)、激光光源熱管理技術(shù)、熱應(yīng)力控制技術(shù)以及調(diào)控光子的激光光束轉(zhuǎn)換技術(shù)和光場(chǎng)勻化技術(shù)，生產(chǎn)一條長寬比達(dá)160:1的近紅外波段極窄線光斑，并在光斑長度方向達(dá)到＞95%的能量均勻性和＞98%的能量穩(wěn)定性。應(yīng)用在半導(dǎo)體前道工序中的多種加工工藝。
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