演講信息

美國，舊金山

Moscone South, Room 206 (Level 2)

1月27日

演講人信息：張浩，炬光科技研發(fā)中心研發(fā)經(jīng)理，2022年加入炬光科技，負(fù)責(zé)激光雷達(dá)線光斑發(fā)射模組的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品開發(fā)工作，曾發(fā)表多篇SCI及專利。

15:00-15:20（PST）

基于G-Stack平臺邊發(fā)射激光(EEL)的高性能激光雷達(dá)線光源模組

摘要：線光斑LiDAR因架構(gòu)簡單、可靠性高、生成的點云規(guī)整度高以及尺寸更小，已成為主流的激光雷達(dá)技術(shù)方案。在追求提高激光雷達(dá)的高分辨率和遠(yuǎn)程探測能力的過程中，發(fā)射端模組發(fā)揮著關(guān)鍵作用。炬光科技開發(fā)了基于G-Stack平臺的線光斑發(fā)射模組，與傳統(tǒng)COB封裝相比，顯著減小了封裝寄生，優(yōu)化了散熱路徑，峰值功率提高25%，結(jié)溫降低約10.4°C，在高低溫環(huán)境中模組均擁有穩(wěn)定的光學(xué)性能。

1月28日

演講人信息：Chun He 博士，炬光科技首席科學(xué)家，21項美國專利的唯一或共同發(fā)明者，25項國際專利的發(fā)明者。作為主要作者，曾發(fā)表超過50篇行業(yè)學(xué)術(shù)文章，并且多次受邀參與國際、國內(nèi)研討會及學(xué)術(shù)會議，發(fā)表過50次以上演講。

10:40-11:10（PST）

新型高增益、可抑制ASE的高效光纖放大器（特邀報告）

摘要：該新型放大器實現(xiàn)了創(chuàng)紀(jì)錄的47dB增益，同時ASE被抑制至低于激光信號-40dB，擁有寬動態(tài)范圍，可在輸入信號低至10pW時運行。這種新型設(shè)計已成功在實驗中應(yīng)用于1.5μm波段的摻鉺光纖放大器和1.0μm波段的摻鐿放大器，運行條件包括連續(xù)波、直接驅(qū)動的2ns激光脈沖、鎖模10ps光纖激光器以及色散補償?shù)逆i模100fs孤子光纖激光器。在低重復(fù)頻率下，ASE與受激輻射強烈競爭時，該放大器的性能尤其優(yōu)于傳統(tǒng)光纖放大器。

14:30-14:50（PST）

基于先進(jìn)鍵合技術(shù)和創(chuàng)新結(jié)構(gòu)設(shè)計的高功率半導(dǎo)體激光器

摘要：長脈沖模式下運行的高功率半導(dǎo)體激光器，在醫(yī)療美容應(yīng)用中對可靠性有著嚴(yán)格要求。在研究中，我們開發(fā)了一種高性能的半導(dǎo)體激光器設(shè)備。對于波長為808 nm、腔長為1.5 mm的半導(dǎo)體激光器芯片，其熱阻僅約為0.3 K/W。在連續(xù)模式下，其熱翻轉(zhuǎn)功率達(dá)到268 W，比采用傳統(tǒng)MCC（微通道冷卻器）直接與芯片鍵合的方式高出40%。在準(zhǔn)連續(xù)模式下（20 ms脈沖，10 Hz），最大功率達(dá)到345 W，提升了15%。

16:00-16:20（PST）

在長脈沖條件下具有高可靠性的高功率InP半導(dǎo)體激光器

摘要：對于基于InP襯底的高功率半導(dǎo)體激光芯片，其物理性質(zhì)與基于GaAs襯底的不同，因此需要開發(fā)具有低熱阻和低封裝應(yīng)力的封裝技術(shù)，以實現(xiàn)高可靠性和高功率。我們開發(fā)了一種基于InP的1470 nm激光器，采用被動導(dǎo)熱散熱器，具有低鍵合應(yīng)力和低熱阻，且通過創(chuàng)新的封裝工藝成功制成。對于腔長為2 mm的激光芯片，設(shè)備的熱阻約為0.27°C/W，且在連續(xù)波150 安培電流工作條件下，其熱翻轉(zhuǎn)功率可達(dá)到60 W。此外，這些激光器在長脈沖工作條件下仍表現(xiàn)出高可靠性。

歡迎您蒞臨會場交流探討，也誠摯邀請您前往炬光科技展位#441，與我們的專家團隊共同探索光子行業(yè)的無限可能！