近日，炬光科技發(fā)布了預(yù)制金錫AlN陶瓷襯底AMC產(chǎn)品系列及金錫薄膜制備服務(wù)。預(yù)制金錫薄膜鍵合材料是保證光電子器件長(zhǎng)期可靠使用的關(guān)鍵技術(shù)。與傳統(tǒng)銦、錫鉛、錫鉍等鍵合材料相比，金錫鍵合貼片的器件在耐用性、抗氧化能力和抗熱疲勞能力上有更優(yōu)異的表現(xiàn)。金錫除了主要應(yīng)用于光電芯片的貼片封裝之外，用于器件外殼封裝時(shí)可顯著提高密封性，用于光學(xué)元件封裝時(shí)可避免傳統(tǒng)膠工藝在溫度影響下發(fā)生的位置變化現(xiàn)象，大大增強(qiáng)光學(xué)元件的封裝對(duì)位精度。根據(jù)應(yīng)用環(huán)境不同，金錫可以被預(yù)制在AlN、銅鎢、碳化硅、玻璃、CVD金剛石以及銅金剛石等不同襯底材料之上。

炬光科技是預(yù)制金錫薄膜工藝和金錫共晶鍵合貼片工藝的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，在此領(lǐng)域擁有超過(guò)10年的技術(shù)沉淀。同時(shí)炬光科技也是預(yù)制金錫襯底材料的供應(yīng)商，提供各種預(yù)制金錫襯底材料產(chǎn)品和金屬薄膜化制備服務(wù)。

此次，炬光科技推出預(yù)制金錫AlN陶瓷襯底AMC產(chǎn)品系列及金錫薄膜制備服務(wù)，預(yù)制金錫工藝采用物理氣相沉積工藝，厚度可以做到10微米以內(nèi)，公差為+/-1微米，厚度均勻性可以達(dá)到3%左右，在應(yīng)用時(shí)大大增加了芯片封裝界面焊料鋪展的均勻性，降低封裝界面空洞，再結(jié)合高精度表面加工水平，更加滿足高功率芯片鍵合的需求。

目前三款標(biāo)準(zhǔn)品的參數(shù)如下表：

產(chǎn)品特點(diǎn)

炬光科技預(yù)制金錫AlN陶瓷襯底AMC產(chǎn)品系列具備如下特點(diǎn)：

1. 低熱阻

憑借多年對(duì)產(chǎn)品共晶鍵合技術(shù)能力的經(jīng)驗(yàn)，炬光科技從應(yīng)用需求出發(fā)，優(yōu)化了整個(gè)AMC產(chǎn)品各層材料的最佳熱管理設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)低熱阻封裝應(yīng)用，保證器件的更高功率輸出。

2. 低應(yīng)力

炬光科技AMC產(chǎn)品系列在研發(fā)階段就優(yōu)化了各材料層的厚度設(shè)計(jì)和材料的熱膨脹系數(shù)（CTE）匹配設(shè)計(jì)，最終使得產(chǎn)品整體的CTE與芯片的CTE盡可能接近，實(shí)現(xiàn)低應(yīng)力封裝，大大增強(qiáng)器件的長(zhǎng)期使用壽命。

3. 成熟的預(yù)制金錫技術(shù)

炬光科技采用物理氣相沉積工藝，在材料上表面預(yù)制一層均勻的金錫薄膜，用于滿足客戶芯片金錫共晶鍵合應(yīng)用的需求。由于預(yù)制金錫為整個(gè)產(chǎn)品的核心工藝環(huán)節(jié)，炬光科技使用完善的質(zhì)量管理體系以保證預(yù)制金錫性能的可靠性和大批量生產(chǎn)制造的一致性。

4. 大批量生產(chǎn)制造能力

AMC產(chǎn)品系列采用“從wafer加工到單顆”的批量化模式，大大提高了產(chǎn)品一致性和生產(chǎn)效率，專業(yè)面向大批量化光電子器件封裝市場(chǎng)。

除此之外，炬光科技可以為客戶提供快速響應(yīng)服務(wù)，利用高功率芯片共晶鍵合和測(cè)試的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)給客戶更多應(yīng)用支持。如有其它特殊需求，我們也可提供定制服務(wù)。