采用無銦化及預制金錫薄膜的共晶鍵合技術,壽命可達 10^9 脈沖數
實現從芯片封裝到激光器的精準波長控制,波長控制范圍可達±2nm
8%高占空比條件下,單巴峰值功率為400W;在1%低占空比條件下,單巴峰值功率可達到500W
緊湊型結構設計:5bar基礎模塊(含上下電極)體積為16.45cm3,重量輕至68g
以5bar模塊為基礎設計單元,通過增加模塊易于實現功率擴展
工業(yè)用水即可滿足產品冷卻水的水質要求,無需去離子水


始終處于活動狀態(tài)